蚀刻方法及利用此蚀刻方法之接触孔形成方法

摘要

本发明旨在提供一种形成蚀刻结构用之方法，其不存在有控制制造条件之困难，且具有超越曝光极限之微小尺寸，且能抑制制造处理及制造成本之增加。本发明系关于一种藉由蚀刻所形成之结构的形成方法，该结构之典型为半导体(如薄膜电晶体)中之接触孔。本发明尤有关于一种用以藉由蚀刻而形成结构之方法，该结构之典型为使用溶融状态中之熔流技术所形成之接触孔，及关于使用该结构之用于显示装置的薄膜电晶体之制造方法。本蚀刻用之方法至少包含下列处理：藉由图型化有机膜而形成具有第一开口部分及第二开口部分之有机遮罩，该有机膜包含有机膜或者添加有机溶剂之膜的其中一者，且该有机膜系位于待蚀刻之构成部分上；藉由使有机遮罩与有机溶剂相接触以令有机遮罩溶融并使其熔流而形成变形有机遮罩。

主权项

一种蚀刻方法，特征在于：至少包含下列处理：将包含一有机膜或者一添加有机溶剂之膜的其中一者且位于一待蚀刻之构成部分上的有机膜图型化，而形成具有一第一开口部分及一第二开口部分之一有机遮罩，该第二开口部分开口于该待蚀刻之构成部分当中叠层相异之部分上；藉由使用该有机遮罩将该待蚀刻之构成部分予以蚀刻，在该第一开口部分之下形成第一蚀刻结构同时于该第二开口部分下形成上蚀刻结构；藉由使该有机遮罩与有机溶剂相接触而令该有机遮罩溶融并熔流，并形成将该第一蚀刻结构之至少底部填塞而该上蚀刻结构未填塞之变形有机遮罩；以该变形有机遮罩为遮罩，藉由将该待蚀刻之构成部分予以蚀刻，形成下蚀刻结构，并且形成由该上蚀刻结构与该下蚀刻结构所构成之第二蚀刻结构；以该第一蚀刻结构作为第一接触孔，并且该第二蚀刻结构作为第二接触孔。