具有非易失存储器的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失存储器件的存储单元，包括：位于衬底上的选择晶体管的选择晶体管栅极，选择晶体管栅极包括：栅极电介质图案；以及位于栅极电介质图案上的选择栅极；在衬底上位于选择晶体管的相对侧的第一和第二存储单元晶体管的第一和第二存储单元晶体管栅极，每个存储单元晶体管栅极包括：隧道绝缘层图案；位于隧道绝缘层图案上的电荷存储层图案；位于电荷存储层图案上的阻挡绝缘层图案；以及位于阻挡绝缘层图案上的控制栅极；在衬底内分别位于选择晶体管栅极与第一和第二存储单元晶体管栅极之间的第一和第二浮动结区；以及在衬底内分别位于第一和第二存储单元晶体管栅极的与第一和第二浮动结区分别相对的一侧的第一和第二漏极区。

主权项

1.一种非易失存储器件的存储单元，包括：位于衬底上的选择晶体管的选择晶体管栅极，所述选择晶体管栅极包括：栅极电介质图案；以及位于所述栅极电介质图案上的选择栅极；在所述衬底上位于所述选择晶体管相对两侧的第一和第二存储单元晶体管的第一和第二存储单元晶体管栅极，所述第一和第二存储单元晶体管栅极中的每个包括：隧道绝缘层图案；位于所述隧道绝缘层图案上的电荷存储层图案；位于所述电荷存储层图案上的阻挡绝缘层图案；以及位于所述阻挡绝缘层图案上的控制栅极；在所述衬底内分别位于所述选择晶体管栅极与所述第一和第二存储单元晶体管栅极之间的第一和第二浮动结区；以及在所述衬底内分别位于所述第一和第二存储单元晶体管栅极的与所述第一和第二浮动结区相对的一侧的第一和第二漏极区。