| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其包括：基板，形成于上述基板上的、由添加了氟的碳膜构成的绝缘膜，埋入到上述绝缘膜内的铜布线，及形成于上述绝缘膜与上述铜布线之间的阻挡膜。上述阻挡膜具有第1膜和第2膜；该第1膜由用于抑制氟扩散的钛构成；该第2膜形成于上述第1膜与上述铜布线之间，由用于抑制铜的扩散的钽构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101461043A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200780020627.1 | 申请日期 | 2007.06.06 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 堀込正弘 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于：包括：基板，形成于上述基板上的、由添加了氟的碳膜构成的绝缘膜，埋入到上述绝缘膜内的铜布线，及形成于上述绝缘膜与上述铜布线之间的阻挡膜；上述阻挡膜具有第1膜和第2膜；该第1膜由用于抑制氟扩散的钛构成；该第2膜形成于上述第1膜与上述铜布线之间，由用于抑制铜扩散的钽构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||