| 发明名称 | 光伏器件和制造其的方法 | ||
| 摘要 | 公开了光伏器件和制造其的方法。用于制造光伏器件的方法，所述方法包括在第一单晶基板上形成二维材料。在所述第一单晶基板之上生长包括Cu-Zn-Sn-S(Se)(CZTSSe)的单晶吸收体层。由所述二维材料剥离所述单晶吸收体层。将所述单晶吸收体层转移至第二基板，并且将所述单晶吸收体层放置于在第二基板上形成的导电层上。在所述单晶吸收体层上形成另外的层以完成所述光伏器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105977339A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201610139737.0 | 申请日期 | 2016.03.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 金志焕;李允锡;T.S.格申 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 用于制造光伏器件的方法，包括：在第一单晶基板上形成二维材料；在所述第一单晶基板上面生长包括Cu‑Zn‑Sn‑S(Se)(CZTSSe)的单晶吸收体层；由所述二维材料剥离所述单晶吸收体层；将所述单晶吸收体层转移至第二基板和将所述单晶吸收体层放置于在所述第二基板上形成的导电层上；和在所述单晶吸收体层上形成另外的层以完成所述光伏器件。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||