| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，通过减小薄膜晶体管制作过程中所采用的掩模版个数，从而降低薄膜晶体管的制作成本。所述阵列基板的制作方法，包括：通过一次构图工艺在衬底基板上形成层叠设置的栅极、栅极绝缘层和有源层的图案；通过一次构图工艺在所述有源层的图案上形成包括接触孔的层间介质层的图案，所述接触孔暴露出所述层间介质层下方的所述有源层，并对所述有源层部分区域进行掺杂；通过一次构图工艺在所述层间介质层的图案上形成源漏极的图案；所述源漏极通过所述接触孔与所述有源层的掺杂区域连接。 | ||
| 申请公布号 | CN106128962A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610811580.1 | 申请日期 | 2016.09.08 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孙双;曹占锋;张方振;牛菁;吕志军 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：通过一次构图工艺在衬底基板上形成层叠设置的栅极、栅极绝缘层和有源层的图案；通过一次构图工艺在所述有源层的图案上形成包括接触孔的层间介质层的图案，所述接触孔暴露出所述层间介质层下方的所述有源层，并对所述有源层部分区域进行掺杂；通过一次构图工艺在所述层间介质层的图案上形成源漏极的图案，所述源漏极通过所述接触孔与所述有源层的掺杂区域连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||