制造动态随机存取存储器单元电容器的方法

摘要

这里公开了一种制造DRAM单元电容器的改进方法,通过将接触孔形成步骤与存储节点形成步骤结合,可以提供到电容器的存储节点的自对接触孔,并可以增大电容器表面积。这种结合技术减少了光刻工艺,并因而降低了工艺成本。

主权项

1．一种制造DRAM单元的位线上电容器(COB)结构的方法，包括以下步骤：在具有多个栅极结构和多个设置于相邻的所说栅极结构之间的接触焊盘的半导体衬底上形成第一绝缘层，所说第一绝缘层中具有多个位线结构；在所说第一绝缘层上依次形成第一材料层、第二绝缘层和第二材料层；在所说二材料层上形成相反光刻胶图形；用所说光刻胶图形作掩模，依次腐蚀所说第二材料层、所说第二绝缘层、和所说第一材料层，从而形成多个第一开口；去掉所说光刻胶图形；在所说第一开口的横向边缘上形成由第一导电材料层构成的多个侧壁间隔层，所说导电侧壁间隔层相对所说第一绝缘层具有腐蚀选择性；腐蚀相邻的所说多个导电侧壁间隔层之间的所说第一绝缘层，从而形成多个到所说接触焊盘的自对准第二开口；用第二导电材料填充所说第一开口和第二开口；进行平面化，直到暴露所说第二绝缘层的上表面为止；及利用所说第一材料层作腐蚀停止层，腐蚀所说暴露的第二绝缘层，从而形成多个到达所说接触焊盘的存储节点。