发明名称 制造半导体装置和液晶显示装置的方法
摘要 提供具有高可靠性的半导体装置、液晶显示装置和它们的制造方法。该半导体装置包括:基板、半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极。半导体层包括在基板的主面上形成且中间夹着沟道区而邻接的源和漏区。栅极绝缘膜在沟道区上形成。栅极电极在栅极绝缘膜上形成,并具有侧壁。栅极绝缘膜7a含有延长部分。源和漏区含有在离开延长部分的侧壁的半导体层的区域内形成的高浓度杂质区和比该高浓度杂质区杂质浓度低的低浓度杂质区。
申请公布号 CN1168148C 申请公布日期 2004.09.22
申请号 CN00135568.6 申请日期 2000.12.13
申请人 三菱电机株式会社;精工爱普生株式会社 发明人 林正美;村井一郎
分类号 H01L29/786;H01L97/84;G09F9/35 主分类号 H01L29/786
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种半导体装置的制造方法,包括下列工序:在基板上形成半导体膜的工序;在上述半导体膜上形成绝缘膜的工序;在上述绝缘膜上形成导电体膜的工序;在上述导电体膜上形成具有侧壁的光刻胶膜的工序;通过以上述光刻胶膜为掩模,用刻蚀法部分地除去上述导电体膜,在从上述光刻胶膜的侧壁往内的内侧形成具有侧壁的栅极电极的工序;通过以上述光刻胶膜为掩模,用刻蚀法部分地除去上述绝缘膜,形成含有具有位于从上述栅极电极的侧壁往外的外侧的侧壁的延长部分的栅极绝缘膜的工序;通过以上述光刻胶膜为掩模,向上述半导体膜内注入杂质,在离开上述延长部分的侧壁的上述半导体膜的区域内形成源和漏区的高浓度杂质区的工序;除去上述光刻胶膜的工序;在除去上述光刻胶膜的工序之后,通过以上述栅极电极为掩模向上述半导体膜内注入杂质,在位于上述延长部分下边的上述半导体膜的区域内,形成比上述高浓度杂质区杂质浓度相对地低的源和漏区的低浓度杂质区的工序。
地址 日本东京