用于形成半导体器件的方法

摘要

本发明涉及用于形成半导体器件的方法，包括：在包括高压和低压阱的半导体衬底表面上方沉积具有预定厚度并对应阱的高压区域的第一氧化层，然后形成第一光刻胶图案。使用第一光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻第一氧化层直到部分暴露半导体衬底，以形成第一氧化层图案。使用第一光刻胶图案作为掩模沉积具有预定厚度并且对应阱的低压区域的第二氧化层。去除第一光刻胶图案、涂覆多晶硅层然后形成第二光刻胶图案。使用第二光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，选择性蚀刻多晶硅层直到部分暴露第一氧化层图案和第二氧化层。去除第二光刻胶图案。使用多晶硅层、第一氧化层图案和第二氧化层作为硬掩模执行杂质离子注入工序，以形成漂移区域。

主权项

1.一种方法，包括：在包括高压和低压阱的半导体衬底表面上方沉积第一氧化层，该第一氧化层具有预定厚度并且对应于阱的高压区域；在该第一氧化层表面上方形成第一光刻胶图案，使用该第一光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻该第一氧化层直到部分地暴露该半导体衬底，以形成第一氧化层图案；使用第一光刻胶图案作为掩模在包括该第一氧化层图案的该半导体衬底的表面上方沉积第二氧化层，该第二氧化层具有预定厚度并对应于阱的低压区域；去除所述第一光刻胶图案，在包括该第一氧化层图案和该第二氧化层的该半导体衬底上方涂覆多晶硅层；在该多晶硅层表面上方形成第二光刻胶图案，使用该第二光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻多晶硅层直到部分地暴露该第一氧化层图案和该第二氧化层；和去除该第二光刻胶图案，使用该多晶硅层、该第一氧化层图案和该第二氧化层作为硬掩模执行杂质离子注入工序，以在半导体衬底中形成漂移区域。