トレンチ領域に配置されたカソード金属層を備える半導体レーザ

摘要

レーザダイオードは、基板と、基板上に配置された接合層とを備える。接合層は、レーザダイオードの量子井戸を形成する。レーザダイオードは、接合層を通って基板に延在する少なくとも１つのチャネルを含む接合面を備える。少なくとも１つのチャネルは、アノード領域およびカソード領域を画定する。カソード電気接合部は、カソード領域に位置する接合面上に配置されている。アノード電気接合部は、接合面に配置され、アノード領域に位置する接合層に接続されている。カソード金属層は、チャネルの少なくともトレンチ領域に配置されている。カソード金属層は、基板をカソード電気接合部に接続する。