| 摘要 |
본 발명은 하기 화학식 (I)에 따른 화합물, 및 적어도 하나의 하기 화학식 (II)를 갖는 리튬 착물을 포함하는 반도전성 물질에 관한 것이다. 그리고, 본 발명은 캐소드, 애노드, 및 캐소드와 애노드 사이의 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 반도전성 물질을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 또한, 화합물 및 전자 디바이스가 기술된다.[상기 식에서, R, R및 R은 독립적으로 C-C-알킬, C-C사이클로알킬, C-C-헤테로알킬, C-C-아릴, C-C-헤테로아릴, C-C-알콕시, C-C-사이클로알킬옥시, C-C-아릴옥시로부터 그리고 일반식 E-A-를 갖는 구조 단위로부터 선택되며, A는 페닐렌 스페이서 단위이며, E는 O, S, P, Si 및 B로부터 독립적으로 선택된 최대 6개의 헤테로원자를 포함하는 C-C아릴 및 C-C헤테로아릴로부터 선택되고 적어도 10개의 비편재화된 전자의 콘주게이션된 시스템을 포함하는 전자 수송 단위이며, R, R및 R으로부터 선택된 적어도 하나의 기는 일반식 E-A-를 가짐][상기 식에서, A은 방향족 고리에서 O, S 및 N으로부터 선택된 적어도 하나의 원자를 포함하는 C-C아릴렌 또는 C-C헤테로아릴렌이며, A및 A각각은 독립적으로 방향족 고리에서 O, S 및 N으로부터 선택된 적어도 하나의 원자를 포함하는 C-C아릴 및 C-C헤테로아릴로부터 선택됨] |
