| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置(101)包括排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域(Pix)，多个像素区域(Pix)各自包括：薄膜晶体管(10)，其具有栅极电极(2)、覆盖栅极电极的栅极绝缘层(5)、在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(7A)、以及与氧化物半导体层电连接的源极电极(9s)和漏极电极(9d)；与氧化物半导体层由同一氧化物膜形成的金属氧化物层(7B)；覆盖薄膜晶体管和金属氧化物层的层间绝缘层(13)；和设置在层间绝缘层上，并且与漏极电极电连接的像素电极(15)，金属氧化物层(7B)包括导电体区域(70c)，像素电极(15)隔着层间绝缘层(13)与导电体区域(70c)的至少一部分重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN105814481A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201480066869.4 | 申请日期 | 2014.08.28 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 内田诚一 |
| 分类号 | G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1368(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;池兵 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括：基板；和在所述基板上排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域，该半导体装置的特征在于：所述多个像素区域各自具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管被支承于所述基板，具有栅极电极、覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层、以及与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；与所述氧化物半导体层由同一氧化物膜形成的金属氧化物层；覆盖所述薄膜晶体管和所述金属氧化物层的层间绝缘层；和设置在所述层间绝缘层上，并且与所述漏极电极电连接的像素电极，所述金属氧化物层包括导电体区域，所述像素电极隔着所述层间绝缘层与所述导电体区域的至少一部分重叠。 | ||
| 地址 | 日本，大阪府 | ||