发明名称 量子点阵列和量子点超晶格的制备方法
摘要 本发明介绍了一种制备量子点阵列的方法,该方法至少包括以下步骤:(a)提供晶体半导体衬底表面;(b)利用连续离子层吸附反应(SILAR)的处理在所述衬底表面上淀积量子点。所述步骤可被重复以构建量子点超晶格结构。
申请公布号 CN105981149A 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201480074944.1 申请日期 2014.02.06
申请人 丰田自动车欧洲股份有限公司 发明人 S·金格;E·卡诺瓦斯迪亚茨;M·博恩
分类号 H01L21/368(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/368(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 欧阳帆
主权项 一种用于制备量子点阵列的方法,所述方法至少包括以下步骤:(a)提供晶体半导体衬底表面;(b)利用连续离子层吸附反应(SILAR)的处理在所述衬底表面上淀积量子点。
地址 比利时布鲁塞尔