| 发明名称 | 用于晶片静电放电防护之高速触发矽控整流元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于静电放电(ESD)防护的半导体元件，其包括：一矽控整流器(SCR)，该矽控整流器包括一半导体基体、一形成于该基体中的第一井、一形成于该基体中的第二井、一形成于该第一井中以用作一阳极的第一p型区域以及一部份形成于该第二井中以用作一阴极之第一n型区域；一形成于该第一井中的p型金属氧化物半导体(PMOS)电晶体，其包括一闸极、一第一扩散区域及一与该第一扩散区域分开的第二扩散区域；一形成于该第一井中并电连接至该PMOS电晶体之该第一扩散区域的第二n型区域，以及一形成于该基体中并电连接至该PMOS电晶体之该第二扩散区域的第二p型区域。 | ||
| 申请公布号 | TWI319230 | 申请公布日期 | 2010.01.01 |
| 申请号 | TW095111817 | 申请日期 | 2006.04.03 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 柯明道;陈世宏;林昆贤 |
| 分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
| 主权项 | 一种用于静电放电(ESD)防护之半导体元件，其包括：一矽控整流器(SCR)，其包括：一半导体基体；一形成于该基体中的第一井；一形成于该基体中的第二井；一形成于该第一井中以用作一阳极之第一p型区域；以及一部份形成于该第二井中以用作一阴极之第一n型区域；一形成于该第一井中的p型金属氧化物半导体(PMOS)电晶体，其包括一闸极、一第一扩散区域及一与该第一扩散区域分开的第二扩散区域；一形成于该第一井中并电连接至该PMOS电晶体之该第一扩散区域的第二n型区域；以及一形成于该基体中并物理性连接至该PMOS电晶体之该第二扩散区域的第二p型区域。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||