发明名称 一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法
摘要 本发明公开一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法,涉及显示技术领域,以判断OLED器件中发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析装置通过获取OLED器件老化前后,第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度;根据OLED器件老化前后,第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值,构建老化前后发光亮度差值函数,并对该函数进行积分,对比老化前后积分结果,根据对比结构判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析方法包括上述OLED器件衰减分析装置。该OLED器件衰减分析装置用于OLED器件衰减分析。
申请公布号 CN106250641A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201610634740.X 申请日期 2016.08.04
申请人 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 发明人 许凯;彭锐;叶志杰;胡月
分类号 G06F17/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 周娟
主权项 一种OLED器件衰减分析装置,其特征在于,包括依次连接的差值函数构建单元、积分单元、比较单元和判定单元;所述差值函数构建单元用于根据OLED器件老化前,第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值,构建老化前发光亮度差值函数f<sub>1</sub>(x);根据OLED器件老化后,第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值,构建老化后发光亮度差值函数f<sub>2</sub>(x);其中,第一发光约束条件为单重约束环境,所述单重约束环境为可变磁场环境,第二发光约束条件为双重约束环境,所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境,x为磁场强度;所述积分单元用于在可变磁场环境对应的磁场强度范围内,对老化前发光亮度差值函数f<sub>1</sub>(x)进行积分,得到老化前积分结果Ena,对老化后发光亮度差值函数f<sub>2</sub>(x)进行积分,得到老化后积分结果Ea;所述比较单元用于比较<img file="FDA0001069840550000011.GIF" wi="71" he="111" />与<img file="FDA0001069840550000012.GIF" wi="97" he="111" />的大小关系;其中,Lna为非发光约束条件下,老化前OLED器件的发光亮度,La为非发光约束条件下,老化后OLED器件的发光亮度;所述判定单元用于根据<img file="FDA0001069840550000013.GIF" wi="74" he="114" />与<img file="FDA0001069840550000014.GIF" wi="99" he="112" />的大小关系比较结果,判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
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