发明名称 |
Method and device for light-assisted patterning of porous silicon |
摘要 |
Ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bereichs aus porösem Silicium auf einem Substrat, in welchem Silicium mittels Beleuchtung geätzt und strukuriert wird, umfaßt den Schritt, die Beleuchtung wahlweise während oder nach der Ausbildung des porösen Siliciums direkt auf einen ausgewählten Bereich eines p-dotierten Substrats zu richten, um in einem anderen Bereich die Ätzung und Strukturierung porösen Siliciums zu bewirken. Eine Vorrichtung Durchführung des Verfahrens umfaßt eine Beleuchtungseinrichtung zum Unterstützen eines Ätzvorganges und zum Strukurieren des porösen Siliciums, wobei die Beleuchtungseinrichtung wahlweise während oder nach der Ausbildung des porösen Siliciums direkt auf einen ausgewählten Bereich eines p-dotierten Substrats gerichtet ist, um in einem anderen Bereich die Ätzung und Strukturierung porösen Siliciums zu bewirken. <IMAGE>
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申请公布号 |
EP0831522(A1) |
申请公布日期 |
1998.03.25 |
申请号 |
EP19970116115 |
申请日期 |
1997.09.17 |
申请人 |
FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH |
发明人 |
THOENISSEN, MARKUS;KRUEGER, MICHAEL;LUETH, HANS, PROF.;BERGER, MICHAEL GOETZ;THEISS, WOLFGANG;LERONDEL, GILLES;ROMESTAIN, ROBERT |
分类号 |
H01L21/3063;H01L33/34;(IPC1-7):H01L21/306;H01L33/00;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/3063 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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