| 发明名称 | 用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可用来对半导体晶片上的二氧化硅和氮化硅进行抛光的水性组合物，该组合物包含0.01－5重量％的羧酸聚合物、0.02－6重量％的磨料、0.01－10重量％的聚乙烯基吡咯烷酮、0.005－5重量％的阳离子化合物、0.005－5重量％的两性离子化合物和余量的水，所述聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量为100－1000000克/摩尔。 | ||
| 申请公布号 | CN101054498A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710087714.0 | 申请日期 | 2007.03.07 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 | 发明人 | S·J·兰;C·余 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01);C09G1/16(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09G1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.一种可用来对半导体晶片上的二氧化硅和氮化硅进行抛光的水性组合物，该组合物包含0.01-5重量％的羧酸聚合物、0.02-6重量％的磨料、0.01-10重量％的聚乙烯基吡咯烷酮、0.005-5重量％的阳离子化合物、0.005-5重量％的两性离子化合物和余量的水，所述聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量为100-1000000克/摩尔。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||