| 发明名称 | 微电子器件的双镶嵌互连的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。该方法包括：在衬底上形成介电常数为3.3或更小的混合介电层；在介电层中形成通孔；用无碳无机填料填充通孔；部分蚀刻填充通孔的无机填料和介电层，形成沟槽，该沟槽连接通孔，并且将在该沟槽中形成互连；除去通孔中剩余的无机填料；以及通过用互连材料填充沟槽和通孔来完成互连，其中所述混合介电层由既有有机材料优点又有无机材料优点的混合电介质制成。 | ||
| 申请公布号 | CN100376026C | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN03147076.9 | 申请日期 | 2003.07.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李敬雨;李守根;朴玩哉;金在鹤 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种制造双镶嵌互连的方法，该方法包括：(a)在衬底上形成介电常数为3.3或更小的混合介电层；(b)在介电层中形成通孔；(c)用无碳无机填料填充通孔；(d)部分蚀刻填充通孔的无机填料和介电层，形成沟槽，该沟槽连接通孔，并且将在该沟槽中形成互连；(e)除去通孔中剩余的无机填料；以及(f)通过用互连材料填充沟槽和通孔来完成互连，其中所述混合介电层由既有有机材料优点又有无机材料优点的混合电介质制成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||