发明名称 一种用于探测刻蚀终点的装置及方法
摘要 一种用于探测刻蚀终点的方法及装置,涉及集成电路刻蚀工艺制程领域,其结构包括用于产生探测光束的激光发生器和用于检测光相位的光相位检测器。本发明根据分别穿透被刻蚀晶片和对比晶片的透射光相位差来确定是否为刻蚀终点并停止刻蚀。本发明提高了刻蚀终点探测的精确度。
申请公布号 CN101458445A 申请公布日期 2009.06.17
申请号 CN200710172076.2 申请日期 2007.12.11
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 张卫航
分类号 G03F1/00(2006.01)I 主分类号 G03F1/00(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 罗 朋
主权项 1. 一种用于探测相偏移光罩反向层的刻蚀终点的装置,其特征在于,其包括:激光发生器,用于产生探测光束,所述的探测光束分别穿透包括相偏移光罩反向层的被刻蚀晶片和缺少相偏移光罩反向层的对比晶片;光相位检测器,用于检测分别穿透包括相偏移光罩反向层的被刻蚀晶片和缺少相偏移光罩反向层的对比晶片的光的相位差,所述的激光发生器和所述光相位发生器分别位于包括相偏移光罩反向层的被刻蚀晶片和缺少相偏移光罩反向层的对比晶片的两侧。
地址 201203上海市浦东新区张江路18号