| 发明名称 | CMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS晶体管的形成方法，所述CMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一开口和第二开口；同时形成覆盖所述第一开口和第二开口内壁的PMOS功函数层；去除覆盖所述第一开口上部分侧壁PMOS功函数层，并且去除所述第二开口内的PMOS功函数层；在所述第一开口内形成覆盖所述PMOS功函数层和第一开口上部分侧壁的NMOS功函数层，形成覆盖第二开口内壁的NMOS功函数层；在所述第一开口和第二开口内形成金属栅极，所述金属栅极位于NMOS功函数层表面并且所述金属栅极具有拉伸应力。所述CMOS晶体管的形成方法能够在调整晶体管的功函数的同时，调节晶体管受到的应力作用。 | ||
| 申请公布号 | CN103915387B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201310007186.9 | 申请日期 | 2013.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括：NMOS区域和PMOS区域、位于所述NMOS区域和PMOS区域之间的隔离结构、位于所述PMOS区域表面的第一伪栅极、位于NMOS区域表面的第二伪栅极、位于所述第一伪栅极和第二伪栅极两侧的半导体衬底内的源/漏区；在所述半导体衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层的表面与所述第一伪栅极和第二伪栅极的表面齐平；去除所述第一伪栅极和第二伪栅极，分别形成第一开口和第二开口；同时形成覆盖所述第一开口和第二开口内壁的PMOS功函数层,所述PMOS功函数层具有压缩应力；去除覆盖所述第一开口上部分侧壁PMOS功函数层，并且去除所述第二开口内的PMOS功函数层；在所述第一开口内形成覆盖所述PMOS功函数层和第一开口上部分侧壁的NMOS功函数层，在所述第二开口内形成覆盖第二开口内壁的NMOS功函数层；在所述第一开口和第二开口内形成金属栅极，所述金属栅极位于NMOS功函数层表面并且所述金属栅极具有拉伸应力。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||