MIM电容及其形成方法

摘要

一种MIM电容及其形成方法，所述MIM电容的形成方法包括：提供基底，所述部分基底位于第一区域，部分基底位于第二区域；在所述第一区域的基底表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面和基底表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成第二电极层；在第二电极层表面和绝缘层表面形成第三介质层；同时形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔依次贯穿第三介质层、绝缘层和第一区域的第一电极层，所述第二通孔依次贯穿第三介质层、第二电极层和第二区域的绝缘层，且第一通孔贯穿的第三介质层厚度与第二通孔贯穿的第三介质层厚度相同。所述MIM电容的形成方法能够降低形成与MIM电容上下电极连接的插塞的难度。

主权项

一种MIM电容的形成方法，其特征在于，包括：提供基底、相邻的第一区域、第二区域和第三区域，部分基底位于第一区域，部分基底位于第二区域，部分基底位于第三区域；在所述第一区域和第三区域的基底的表面同时形成第一电极层；在所述第一电极层表面和基底表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成第二电极层，部分所述第二电极层位于第一区域，部分所述第二电极层位于第二区域，位于第一区域的第二电极层暴露出位于第一区域的部分绝缘层，且所述第二电极层的厚度和材料与第一电极层的厚度和材料相同；在第二电极层表面和绝缘层表面形成第三介质层并平坦化所述第三介质层；同时形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，其中，所述第一通孔依次贯穿第三介质层、绝缘层和第一区域的第一电极层，所述第二通孔依次贯穿第三介质层、第二电极层和第二区域的绝缘层，且第一通孔贯穿的第三介质层厚度与第二通孔贯穿的第三介质层厚度相同，所述第三通孔依次贯穿第三介质层、绝缘层和第三区域的第一电极层。