测量实际存取时间的ＰＳＲＡＭ自我更新电路及其操作方法

摘要

本发明提供一种自我更新电路，其系包括一个更新控制单元及一个内部更新电路。其中，更新控制单元系用来当模式设定暂存器(MRS)命令并未启动时，根据更新周期脉冲产生更新控制讯号，用来当该MRS命令并未启动时，根据自我更新入口禁止讯号中断更新控制讯号的输出，以及用来当该MRS命令启动时，不管该更新周期脉冲为何而产生更新命令。MRS命令系藉由组合至少一个位址讯号及至少一个控制讯号而产生。内部更新电路系根据更新命令执行更新动作。藉此可精确地测量存取时间并且减少测试时间。

主权项

一种自我更新电路，包括：一更新控制单元，其系用来当一模式设定暂存器(MRS)命令并未启动时，根据一更新周期脉冲产生一更新控制讯号，及用来当该MRS命令并未启动时，根据一自我更新入口禁止讯号中断该更新控制讯号的一输出，以及用来当该MRS命令启动时，不管该更新周期脉冲为何而产生一更新命令，且该MRS命令系藉由组合至少一位址讯号及至少一控制讯号而产生；以及一内部更新电路，用来根据该更新命令执行一更新动作。