Leistungs-Halbleiterelement mit einer Diode zur Temperaturerfassung und einer Diode zum Absorbieren von statischer Elektrizität sowie damit ausgebildete Leistungs-Halbleitervorrichtung

摘要

Eine erste Diodeneinrichtung (1B) zum Erfassen einer Übergangsbereichstemperatur und eine zweite Diodeneinrichtung (1C) zum Absorbieren von statischer Elektrizität, die Teil eines Leistungs-Halbleiterelements (1) sind, sind in demselben Substrat zusammen mit einer Leistungs-Halbleiterelementeinrichtung (1A) ausgebildet. Ferner sind mehrere zweite Dioden (1CD), die die zweite Diodeneinrichtung (1C) bilden, in identischer Anzahl zu mehreren ersten Dioden (1BD) vorhanden, die die erste Diodeneinrichtung (1B) bilden. Ferner ist ein Kondensator (11) zum Reduzieren der Impedanz zwischen den Eingangsanschlüssen einer für einen Spannungsabfall in Durchlaßrichtung vorgesehenen Operationsverstärkungs-Schaltungseinrichtung (4) einer Steuerschaltungseinrichtung (8) angeordnet. Hierbei ist der Kondensator (11) auch zur Bildung eines LC-Tiefpaßfilters wirksam, indem eine vorwärtswegseitige Relaisleitungseinrichtung (9A) und eine rückwärtswegseitige Relaisleitungseinrichtung (9B) von einem rohrförmigen Ferritkern bedeckt sind.