近环绕栅极及制造具有该栅极的硅半导体器件的方法

摘要

本发明揭示一种制造具有近环绕(quasi-surrounding)栅极的绝缘体上有硅(SOI)的半导体器件的方法。根据本发明的方法，可得到一种MOSFET半导体器件，其栅极电极几乎包围整个沟道区域，而达到体积反转(volume-inversion)的效果，可大幅增加该半导体器件的单位电流，亦可控制短沟道效应(SCE)的发生，而减少亚阈值漏电(sub-thresholdleakage)。此外，本发明的方法可以传统方式制造不同栅极长度的器件。

主权项

1.一种制作具有近环绕栅极的硅半导体器件的方法，该方法包括下列步骤：(a).在一半导体基底上经由第一绝缘层形成一半导体层；(b).在该半导体层上形成第一氧化层；(c).在该第一氧化层上形成第一牺牲氮化物层；(d).以微影技术将该第一牺牲氮化物层、第一氧化层、以及该半导体层图案化而形成岛状或长条状；(e).在该岛状或长条状的半导体层周围形成第二氧化层；(f).剥离该第一牺牲氮化物层；(g).沉积第二牺牲氮化物层；(h).以该第二牺牲氮化物层为掩模，以一既定距离蚀刻至该第一绝缘层，并蚀刻该第二氧化层；(I).在该半导体层周围形成绝缘材料；(j).以该第二牺牲氮化物层为掩模，而沉积多晶硅；(k).移除该第二牺牲氮化物层而形成一栅极；以及(l).以该栅极为掩模在该半导体层植入与该半导体基底相反导电性的掺杂离子而形成源/漏极区。