| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括下列步骤：在半导体基片上形成隔离层以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述晶体管区上形成栅，包括栅绝缘层和其上的栅电极；在所述栅电极的侧面上形成绝缘侧壁；按相继顺序在所述半导体基片的整个表面上形成下绝缘层和上绝缘层；移除除了所述光电二极管区以外的区中的上和下绝缘层；在所述半导体基片的整个表面上形成金属层；并且将所述半导体基片退火以选择性地在所述半导体基片的表面上形成自对准硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1881565A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200610087082.3 | 申请日期 | 2006.06.16 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 金唇翰 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括下列步骤：在半导体基片上形成隔离层以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述晶体管区上形成栅，包括栅绝缘层和其上的栅电极；在所述栅电极的侧面上形成绝缘侧壁；按相继顺序在所述半导体基片的整个表面上形成下绝缘层和上绝缘层；移除除了所述光电二极管区以外的所述基片的区上的上和下绝缘层；在所述半导体基片的整个表面上形成金属层；并且将所述半导体基片退火以选择性地在所述半导体基片的表面上形成自对准硅化物层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||