发明名称 一种整流电桥电路
摘要 本实用新型提供了一种整流电桥电路,包含两个PMOS管、和两个NMOS管。PMOS管一的漏极和衬底、PMOS管二的漏极和衬底连接构成输出的正极;NMOS管一的源极和衬底、NMOS管二的源极和衬底连接构成输出的负极。该电路一个输入端同时连接到PMOS管一源极、PMOS管二栅极、NMOS管一漏极、和NMOS管二栅极,其另一个输入端连接到PMOS管二源极、PMOS管一栅极、NMOS管二漏极、和NMOS管一的栅极。该电路还可包含两个二极管,两个二极管的阳极分别连接所述整流电桥电路的两个输入端;其阴极彼此相连,并同时连接到两个PMOS管各自的漏极和衬底。如此便实现了一种低压降、易集成的整流电桥电路结构。
申请公布号 CN201204552Y 申请公布日期 2009.03.04
申请号 CN200820115926.5 申请日期 2008.06.04
申请人 北京铱钵隆芯科技有限责任公司 发明人 颜景龙;刘星;李风国;赖华平;张宪玉
分类号 H02M7/219(2006.01) 主分类号 H02M7/219(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种整流电桥电路,其特征在于:所述整流电桥电路包含两个PMOS管、和两个NMOS管,分别为PMOS管一、PMOS管二、NMOS管一、和NMOS管二;所述PMOS管一的漏极和衬底、所述PMOS管二的漏极和衬底连接在一起,共同构成所述整流电桥电路的输出的正极;所述NMOS管一的源极和衬底、所述NMOS管二的源极和衬底连接在一起,共同构成所述整流电桥电路的输出的负极;所述整流电桥电路的一个输入端同时连接到所述PMOS管一的源极、所述PMOS管二的栅极、所述NMOS管一的漏极、和所述NMOS管二的栅极,所述整流电桥电路的另一个输入端同时连接到所述PMOS管二的源极、所述PMOS管一的栅极、所述NMOS管二的漏极、和所述NMOS管一的栅极。
地址 100098北京市海淀区大钟寺13号院华杰大厦11B12
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