| 发明名称 | 蚀刻底层抗反射层及制作布线沟槽的方法 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻底层抗反射层的方法，包括在对晶圆上的底层抗反射层进行蚀刻时加入磁场，使得晶圆边缘的底层抗反射层的蚀刻速率快于晶圆中心的底层抗反射层的蚀刻速率。本发明还公开了一种制作布线沟槽的方法。所述蚀刻底层抗反射层的方法及制作布线沟槽的方法能够提高制作布线沟槽的精度。 | ||
| 申请公布号 | CN101459072A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094489.3 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣;沈满华 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种蚀刻底层抗反射层的方法，其特征在于，包括在对晶圆上的底层抗反射层进行蚀刻时加入磁场，使得晶圆边缘的底层抗反射层的蚀刻速率快于晶圆中心的底层抗反射层的蚀刻速率。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||