| 发明名称 | 形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀腐蚀阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和腐蚀阻挡层为罩幕，刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；去除掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种形成浅沟槽的刻蚀方法。本发明在腐蚀阻挡层上形成刻蚀过程中保护腐蚀阻挡层的掩膜层，使刻蚀气体对腐蚀阻挡层不会产生影响，腐蚀阻挡层的厚度也不发生变化，从而使浅沟槽隔离结构的隔离效果提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101459108A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094466.2 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘乒;陈海华;张世谋 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀腐蚀阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和腐蚀阻挡层为罩幕，刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；去除掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||