发明名称 |
一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构,包括:P型衬底上形成有有源区、P型膺埋层和浅沟槽隔离,浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方,P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧,P型膺埋层与有源区相连;N型重掺杂区形成于有源区上方,多晶硅层形成于钱沟槽隔离区上方与N型重掺杂区相邻;N型重掺杂区和P型膺埋层分别通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构的制造方法。本发明的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法能实现插入损耗在2dB以下,隔离度达到30dB以上。 |
申请公布号 |
CN103107186B |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201110355686.2 |
申请日期 |
2011.11.11 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
胡君;刘冬华;钱文生;段文婷;石晶 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种BiCMOS工艺中寄生N‑I‑P型PIN器件结构,其特征是,包括:P型衬底上具有通过P型轻掺杂注入或不进行杂质注入形成的有源区、注入P型离子形成的P型膺埋层和浅沟槽隔离,浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方,P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧,P型膺埋层与有源区相连;在源区表面淀积的多晶硅中重掺杂注入形成N型重掺杂区,N型重掺杂区位于有源区上方,多晶硅层形成于浅沟槽隔离区上方与N型重掺杂区相邻;N型重掺杂区和P型膺埋层分别通过接触孔引出连接金属连线。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |