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Es wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements zur Verfügung gestellt, bei dem eine ringförmige Elektrodenplatte 18 mit einer Öffnung, die einen kleineren Durchmesser als ein Halbleiterwafer W hat, zwischen einer ersten Elektrodenplatte 14 und einer zweiten Elektrodenplatte 16 angeordnet wird, der Halbleiterwafer W zwischen der ringförmigen Elektrodenplatte 18 und der zweiten Elektrodenplatte 16 angeordnet wird und eine Glasschicht auf einer mit einer Glasschicht zu versehenden Fläche in einem Zustand hergestellt wird, in dem ein Potenzial an die ringförmige Elektrodenplatte 18 angelegt ist, das kleiner als ein Potenzial V2 der zweiten Elektrodenplatte 16 ist. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements kann auch dann, wenn der Glasschicht-Herstellungsschritt unter Verwendung eines Halbleiterwafers durchgeführt wird, bei dem eine Isolier-Basisschicht auf der mit einer Glasschicht zu versehenden Fläche hergestellt ist, die Verringerung der Abscheidungsleistung von feinen Glasteilchen auf dem Außenperipherieteil des Halbleiterwafers abgestellt werden, und daher können sehr zuverlässige Halbleiter-Bauelemente mit hoher Produktivität hergestellt werden. |
