发明名称 |
植球工艺和结构 |
摘要 |
本发明涉及一种植球工艺和结构,其特征是:包括上晶圆和下晶圆,上晶圆的下表面沉积上晶圆绝缘层,下晶圆上表面沉积绝缘层,上晶圆下表面设有凸点,下晶圆上表面具有嵌入下晶圆上表面的嵌入式焊球,上晶圆下表面的凸点嵌入下晶圆的嵌入式焊球中,上晶圆绝缘层和下晶圆上表面的绝缘层实现键合。所述嵌入式焊球设置于下晶圆上表面的埋入孔中,在埋入孔的内壁依次设置绝缘层、种子层和焊盘层,在埋入孔的焊盘层上设置焊球。所述埋入孔的形状、尺寸与凸点的形状、尺寸一致。本发明能够保证晶圆凸点的有效互联以及两片晶圆键合的可靠性。 |
申请公布号 |
CN106252318A |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201610866729.6 |
申请日期 |
2016.09.29 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
姚波 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
曹祖良;刘海 |
主权项 |
一种植球结构,其特征是:包括上晶圆(200)和下晶圆(101),上晶圆(200)的下表面沉积上晶圆绝缘层(201),下晶圆(101)上表面沉积绝缘层(103),上晶圆(200)下表面设有凸点(202),下晶圆(101)上表面具有嵌入下晶圆(101)上表面的嵌入式焊球,上晶圆(200)下表面的凸点(202)嵌入下晶圆(101)的嵌入式焊球中,上晶圆绝缘层(201)和下晶圆(101)上表面的绝缘层(103)实现键合。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋(微纳创新园) |