发明名称 植球工艺和结构
摘要 本发明涉及一种植球工艺和结构,其特征是:包括上晶圆和下晶圆,上晶圆的下表面沉积上晶圆绝缘层,下晶圆上表面沉积绝缘层,上晶圆下表面设有凸点,下晶圆上表面具有嵌入下晶圆上表面的嵌入式焊球,上晶圆下表面的凸点嵌入下晶圆的嵌入式焊球中,上晶圆绝缘层和下晶圆上表面的绝缘层实现键合。所述嵌入式焊球设置于下晶圆上表面的埋入孔中,在埋入孔的内壁依次设置绝缘层、种子层和焊盘层,在埋入孔的焊盘层上设置焊球。所述埋入孔的形状、尺寸与凸点的形状、尺寸一致。本发明能够保证晶圆凸点的有效互联以及两片晶圆键合的可靠性。
申请公布号 CN106252318A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201610866729.6 申请日期 2016.09.29
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 姚波
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 曹祖良;刘海
主权项 一种植球结构,其特征是:包括上晶圆(200)和下晶圆(101),上晶圆(200)的下表面沉积上晶圆绝缘层(201),下晶圆(101)上表面沉积绝缘层(103),上晶圆(200)下表面设有凸点(202),下晶圆(101)上表面具有嵌入下晶圆(101)上表面的嵌入式焊球,上晶圆(200)下表面的凸点(202)嵌入下晶圆(101)的嵌入式焊球中,上晶圆绝缘层(201)和下晶圆(101)上表面的绝缘层(103)实现键合。
地址 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋(微纳创新园)