| 发明名称 |
Process for the manufacture of a dielectric antifuse structure |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Antifuse-Struktur (1) in einem integrierten Schaltkreis. Die Antifuse-Struktur (1) wird in ein Kontaktloch (15) in einer Oxidschicht (4) eingearbeitet und weist eine dielektrische Schicht (9) auf, die zwischen einer ersten leitenden Schicht (8a) und einer zweiten leitenden Schicht (8b) angeordnet ist. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1168443(A2) |
申请公布日期 |
2002.01.02 |
| 申请号 |
EP20010113931 |
申请日期 |
2001.06.07 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
LEHR, MATTHIAS, DR.;TEWS, RENE, DR. |
| 分类号 |
H01L23/525;(IPC1-7):H01L23/525 |
主分类号 |
H01L23/525 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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