发明名称 用于相移掩模的嵌入式蚀刻阻止层
摘要 一种用于相移掩模的嵌入式蚀刻阻止层。衰减相移掩模和交替相移掩模通过在掩模上图案的相邻特征之间透射的辐射中引入相移来提高装置的分辨率。相移掩模具有一个可蚀刻的无机材料层。该无机材料层形成在具有玻璃或石英层和蚀刻阻止层的掩模坯体上。由于蚀刻阻止层由不被蚀刻处理蚀刻的材料形成,蚀刻阻止层在无机材料层中提供均匀的图案蚀刻深度。相移掩模可以用一个衰减材料层代替树脂无机聚合物层。相移掩模的图案的特征也可以用光学透明材料或半透明材料或者用具有选定的折射率和介电常数的不透明材料填充,以减少图案的特征侧壁的边缘效应。
申请公布号 CN1530748A 申请公布日期 2004.09.22
申请号 CN200410005084.4 申请日期 2004.01.13
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 K·库明斯
分类号 G03F7/20;H01L21/00 主分类号 G03F7/20
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖春京
主权项 1.一种用于光刻投影装置的构图装置,包括:一玻璃或石英层;一树脂聚合物层;和和一个在玻璃或石英层与树脂聚合物层之间的蚀刻阻止层,其中,图案形成在树脂聚合物层中,并且玻璃或石英层与树脂聚合物层之间与图案相应的区域中不设蚀刻阻止层。
地址 荷兰维尔德霍芬