| 发明名称 | 单电荷隧道器件 | ||
| 摘要 | 一种单电子晶体管(1)具有形成在5nm厚的Ga<SUB>0.98</SUB>Mn<SUB>0.02</SUB>As层(4)中的伸长导电沟道(2)和侧栅极(3)。该单电子晶体管(1)可在第一模式下作为晶体管工作，及在第二模式下，作为非易失性存储器工作。 | ||
| 申请公布号 | CN101026188A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200610115794.1 | 申请日期 | 2006.08.17 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 约尔格·翁德里;大卫·威廉斯;托马斯·琼沃思;安德鲁·欧文;布赖恩·加拉格尔 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01);H01L29/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许静 |
| 主权项 | 1.一种单电荷隧道器件，包括第一和第二引脚(8，9)；和导电岛(10)，配置成电荷可通过该导电岛从第一引脚向第二引脚迁移；栅极(3)，用于改变导电岛的静电能；其中，所述第一引脚，第二引脚，岛和栅极中至少一个包括铁磁材料，该铁磁材料响应于磁化方向的变化表现出化学势的变化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||