半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法，以及利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH₄、N₂O和H₂作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55-70原子％、氮浓度设定为0.1-6原子％和氢浓度设定为0.1-3原子％。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350-500℃，较好在400-450℃之间，放电功率密度设定在0.1-1W/cm²。

主权项

1.一种半导体装置，包括在基片上的像素部分和驱动电路，所述半导体装置包括：形成于所述基片上的基膜；形成于所述基膜之上的第一、第二和第三半导体层；与所述第一半导体层相邻的第一栅电极，栅绝缘膜夹在所述第一半导体层和第一栅电极之间，其中所述第一半导体层中的第一LDD区不与所述第一栅电极重叠；与所述第二半导体层相邻的第二栅电极，所述栅绝缘膜夹在所述第二半导体层和第二栅电极之间，其中所述第二半导体层中的第二LDD区与所述第二栅电极重叠；与所述第三半导体层相邻的第三栅电极，所述栅绝缘膜夹在所述第三半导体层和第三栅电极之间，其中所述第三半导体层中的第三LDD区部分地与所述第三栅电极重叠；其中所述像素部分包括所述第一半导体层，所述驱动电路包括所述第二和第三半导体层；其中所述栅绝缘膜和所述基膜中每一个包括氢化氧氮化硅，且含有氧、氮和氢；其中所述氢化氧氮化硅中氧、氮和氢的浓度分别是浓度为55-70原子％的氧、浓度为0.1-6原子％的氮和浓度为0.1-3原子％的氢；以及其中，所述第一、第二和第三半导体层是结晶半导体层。