发明名称 METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL USING PLASMA
摘要 원료 투입부, 플라즈마 반응부, 단결정 성장부를 구비한 플라즈마 단결정 성장 반응기에, 캐리어 가스를 투입하고, 플라즈마 방전을 실시하여 열플라즈마를 형성하는 단계; 상기 원료 투입부에 단결정 성장을 위한 원료를 연속공정으로 투입하는 단계; 상기 투입된 원료가 열플라즈마의 온도 영역에서 활성화된 기체를 형성하는 단계; 상기 활성화된 기체가 상기 단결정 성장부로 이동하는 단계; 및 상기 활성화된 기체가 상기 단결정 성장부에서 증착되어 단결정이 형성되는 단계;를 포함하는 열플라즈마에 의한 단결정 성장 방법이 제공된다.
申请公布号 KR101632798(B1) 申请公布日期 2016.06.23
申请号 KR20140150541 申请日期 2014.10.31
申请人 오씨아이 주식회사 发明人 김덕윤;김상훈;김경열;이성환
分类号 C30B25/06;C30B29/36;C30B30/00 主分类号 C30B25/06
代理机构 代理人
主权项
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