MOS晶体管及其形成方法

摘要

一种MOS晶体管及其形成方法，其中MOS晶体管包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构由下至上依次包括栅介质层、保护层、功能层和栅电极层，所述功能层为包括若干层主功能层和应力层的多层结构，主功能层和应力层沿与保护层上表面平行方向间隔设置；位于所述栅极结构侧壁上的侧墙；位于侧墙两侧半导体衬底内的源极和漏极。本发明所形成的MOS晶体管沟道区中载流子的迁移率高，MOS晶体管的性能好。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构的侧壁上形成有侧墙；在所述侧墙两侧的半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅极结构的上表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成暴露出半导体衬底的凹槽；在所述凹槽内形成栅极结构，所述栅极结构由下至上依次包括栅介质层、保护层、功能层和栅电极层，所述栅电极层的上表面与所述层间介质层的上表面齐平，所述功能层为包括若干层主功能层和应力层的多层结构，主功能层和应力层沿与保护层上表面平行的方向间隔形成。