发明名称 |
Zener-Diode |
摘要 |
Eine Zener-Diode (10) hat ein Halbleitersubstrat (12), eine Anodenelektrode (40) und eine Kathodenelektrode (42). Das Halbleitersubstrat (12) hat einen p-Anodenbereich (20), einen n-Strompfadbereich (22) und einen Driftbereich (24). Der p-Anodenbereich (20) ist mit der Anodenelektrode (40) verbunden. Der n-Strompfadbereich (22) steht mit dem Anodenbereich (20) in Kontakt. Der Driftbereich (24) steht mit dem Anodenbereich (20) und dem Strompfadbereich (22) in Kontakt. Der Driftbereich (24) ist vom n-Typ. Der Driftbereich (24) hat eine niedrigere n-Verunreinigungskonzentration als der Strompfadbereich (22). Der Driftbereich (24) ist direkt oder über einen anderen n-Bereich (26) mit der Kathodenelektrode (42) verbunden. |
申请公布号 |
DE112014005020(T5) |
申请公布日期 |
2016.08.04 |
申请号 |
DE20141105020T |
申请日期 |
2014.10.30 |
申请人 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
Kinpara, Hiromichi;Okawa, Takashi;Eguchi, Hiroomi;Ikeda, Satoshi |
分类号 |
H01L29/866;H01L29/06;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/866 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|