发明名称 Zener-Diode
摘要 Eine Zener-Diode (10) hat ein Halbleitersubstrat (12), eine Anodenelektrode (40) und eine Kathodenelektrode (42). Das Halbleitersubstrat (12) hat einen p-Anodenbereich (20), einen n-Strompfadbereich (22) und einen Driftbereich (24). Der p-Anodenbereich (20) ist mit der Anodenelektrode (40) verbunden. Der n-Strompfadbereich (22) steht mit dem Anodenbereich (20) in Kontakt. Der Driftbereich (24) steht mit dem Anodenbereich (20) und dem Strompfadbereich (22) in Kontakt. Der Driftbereich (24) ist vom n-Typ. Der Driftbereich (24) hat eine niedrigere n-Verunreinigungskonzentration als der Strompfadbereich (22). Der Driftbereich (24) ist direkt oder über einen anderen n-Bereich (26) mit der Kathodenelektrode (42) verbunden.
申请公布号 DE112014005020(T5) 申请公布日期 2016.08.04
申请号 DE20141105020T 申请日期 2014.10.30
申请人 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 发明人 Kinpara, Hiromichi;Okawa, Takashi;Eguchi, Hiroomi;Ikeda, Satoshi
分类号 H01L29/866;H01L29/06;H01L29/36 主分类号 H01L29/866
代理机构 代理人
主权项
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