| 发明名称 | 用于形成半导体器件的微细图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成半导体器件的微细图案的方法，包括：形成光阻剂层，所述光阻剂层包括具有第一图案密度的第一光阻剂图案区以及具有比所述第一图案密度更密集的第二图案密度的第二光阻剂图案区；使用曝光掩模来执行曝光工序，以便曝光第一和第二光阻剂图案区的其中一个；以及在所获得的结构上执行阻剂流动工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101025569A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200610167776.8 | 申请日期 | 2006.12.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑载昌 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/38(2006.01);G03F7/027(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种用于形成半导体器件的微细图案的方法，包括：形成光阻剂层，其包括具有第一图案密度的第一光阻剂图案区和具有比所述第一图案密度更密集的第二图案密度的第二光阻剂图案区；使用曝光掩模来执行曝光工序，在所述曝光掩模中，只露出第一和第二光阻剂图案区中的其中一个进行曝光，从而使第一和第二光阻剂图案区中的所述其中一个曝光；以及在所获得的结构上执行阻剂流动工序。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||