发明名称 SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR GROWTH AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 본 발명은 반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 반도체 성장용 기판은 표면에 레이저를 조사하여 형성된 결정 구조 변형 영역을 포함한다. 상기 반도체 성장용 기판은 반도체 박막의 구조, 광 및 전기적 특성을 개선하여 이를 이용한 반도체 소자의 특성을 개선하며, 기판의 휨 현상을 개선하여 대면적의 반도체 기판을 제공할 수 있다.
申请公布号 KR101679373(B1) 申请公布日期 2016.11.24
申请号 KR20140139880 申请日期 2014.10.16
申请人 전북대학교산학협력단 发明人 이관재;김진수
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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