半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置之制造方法，其特征为不使记忆体电晶体的动作特性变动，且容易将记忆体电晶体与高耐压金氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor；以下简称为MOS)电晶体形成于同一个半导体基板上。本发明系将形成记忆体电晶体的穿隧绝缘膜之步骤，与形成MOS电晶体的闸极绝缘膜之步骤作为另外的步骤。具体而言，将成为穿隧绝缘膜一部分的绝缘膜9及氮化矽膜10整面形成后，使用光阻层11将MOS电晶体形成区域的氮化矽膜10选择性地去除。接着，将残留的氮化矽膜10作为抗氧化遮罩，将MOS电晶体形成区域予以选择氧化，使其形成具有任意膜厚的MOS电晶体之闸极绝缘膜12。

主权项

一种半导体装置之制造方法，系将具备有浮闸极、以覆盖前述浮闸极之方式所形成的穿隧绝缘膜、以及隔着前述穿隧绝缘膜于浮闸极上所形成的控制闸极之非挥发性记忆体电晶体，与至少一个MOS电晶体设置于同一个半导体基板上之半导体装置之制造方法，其特征为：形成前述MOS电晶体的闸极绝缘膜之步骤系具备有：于前述半导体基板上形成有一部分会覆盖前述浮闸极的穿隧绝缘膜的绝缘膜之步骤；于前述绝缘膜上形成抗氧化膜之步骤；去除于前述MOS电晶体的形成区域所形成的前述抗氧化膜之步骤；以及将前述未去除的抗氧化膜作为遮罩，藉由将前述MOS电晶体的形成区域予以选择氧化，而形成前述MOS电晶体的闸极绝缘膜之步骤。