多晶－硅－锗栅极叠层及其形成方法

摘要

本发明描述了一种与传统的CMOS栅极叠层相比使反向电容增加的CMOS栅极叠层。在栅极电介质层旁使用多晶－SiGe栅极替代传统的多晶－Si栅极，使得可以活化的注入掺杂物的量增加。这个增加使得在传统CMOS栅极叠层中对反向电容构成限制的多晶硅的损耗问题被克服了。为了将多晶－SiGe层结合到栅极叠层中，在栅极电介质层和多晶－SiGe层之间沉积薄α－Si层。为了确保形成适当的硅化物，在多晶－SiGe层上覆盖上多晶Si层。为了在多晶－SiGe层上得到精细颗粒状的多晶－Si，在多晶－Si层和多晶－SiGe层之间沉积第二α－Si层。

主权项

1.一种用于半导体MOS装置的栅极叠层，包括：在所述半导体MOS装置的半导体衬底上形成的电介质膜；在所述电介质膜上形成的第一α-Si层；在所述第一α-Si层上形成的多晶-SiGe层；在所述多晶-SiGe层上形成的第二α-Si层，和在所述第二α-Si层上形成的多晶-Si层。