充电控制用半导体集成电路

摘要

本发明提供一种充电控制用半导体集成电路。通过电流反射镜方式来检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中，即使晶体管的尺寸比波动，也能够提高电流检测精度。在电流反射镜方式的电流检测电路(13)中，设置偏置状态控制用晶体管(Q3)、将电流控制用晶体管(Q1)以及电流检测用晶体管的漏极电压作为输入的运算放大电路(AMP1)，根据该运算放大电路的输出，电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与电流控制用晶体管的偏置状态相同，并且调整电流检测用晶体管的漏极布线的长度，以使从电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的各漏极到运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻导致的电压降相同。

主权项

1.一种充电控制用半导体集成电路，具有：电流控制用MOS晶体管，连接在电压输入端子和输出端子之间，控制从所述电压输入端子向输出端子流动的电流；电流检测电路，具有电流检测用MOS晶体管，该电流检测用MOS晶体管的源极端子与所述电流控制用MOS晶体管的源极端子连接，具有1/N的尺寸，并且在栅极端子施加相同的栅极电压；以及栅极电压控制电路，根据由所述电流检测电路检测出的电流值，控制所述电流控制用MOS晶体管的栅极电压，该充电控制用半导体集成电路的特征在于，所述电流检测电路具有运算放大电路，该运算放大电路将所述电流控制用MOS晶体管的漏极电压和所述电流检测用MOS晶体管的漏极电压作为输入，根据该运算放大电路的输出，所述电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与所述电流控制用MOS晶体管的偏置状态相同，进行设定以使从所述电流控制用MOS晶体管和所述电流检测用MOS晶体管的各个漏极电极到所述运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻所导致的电压降相同，所述电流检测电路具有偏置状态控制用晶体管，该偏置状态控制用晶体管连接在所述电流检测用MOS晶体管和电流-电压转换单元之间，该电流-电压转换单元与接地点连接，通过把所述运算放大电路的输出施加到所述偏置状态控制用晶体管的控制端子，所述电流控制用MOS晶体管与所述电流检测用MOS晶体管的漏极电压成为相同电位，在芯片内部冗长地围绕从所述电流检测用MOS晶体管的漏极电极到所述运算放大电路的输入点的布线，以使寄生电阻成为规定值。