发明名称 |
一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅 |
摘要 |
本实用新型公开了一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,包括:P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极,所述N阱包括第一N阱、第二N阱,所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区,所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区;通过多晶硅栅、第一P+注入区和第二P+注入区在第一N阱上构成PMOS结构,能够在降低可控硅触发电压的同时提高维持电压,从而减小它的ESD工作窗口。本实用新型提供的一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,本设计结构简单,稳定可靠,维持电压高。 |
申请公布号 |
CN205595330U |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201620210816.1 |
申请日期 |
2016.03.18 |
申请人 |
江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
发明人 |
董树荣;郭维 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
母秋松;董建林 |
主权项 |
一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,包括:P型衬底、N阱、P阱,其特征在于:还包括:P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极,所述N阱包括第一N阱、第二N阱,所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区,所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区,所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱,所述第一N+注入区、第一P+注入区设置在第一N阱上,所述第二P+注入区跨设在第一N阱、P阱和第二N阱上,所述第二N+注入区设置在第二N阱上;所述多晶硅栅设置在第一N阱上的第一P+注入区与第二P+注入区之间的位置;所述第一N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第一N+注入区和第一P+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第二P+注入区和第二N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第二N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离;所述第一N+注入区、第一P+注入区和多晶硅栅均接入阳极,所述第二N+注入区、第二P+注入区均接入阴极。 |
地址 |
215300 江苏省苏州市昆山玉山镇苇城南路1699号11层-1109 |