基板处理方法及使用于该方法之药液（二）

摘要

一种形成在基板上之有机薄膜图形的处理方法，依序包含：一加热步骤(S00)，系加热该有机薄膜图案；一移除步骤(S1)，系移除形成于该有机薄膜图形上之一改变层或一沈积层；以及一熔解/变形步骤(S3)，系熔解该有机薄膜图形以变形该有机薄膜图形。至少一部份移除步骤(S1)系藉由涂布药液至该有机薄膜图形而进行。

主权项

一种形成在基板上之有机薄膜图形的处理方法，依序包含：一加热步骤，以50-150℃的温度加热该有机薄膜图形；以及一熔解/变形步骤，熔解该有机薄膜图形以变形该有机薄膜图形；其中，经由前述加热步骤去除在前述步骤之前已渗入该有机薄膜图形中的水分、酸或硷溶液，以及当前述有机薄膜图形与下层薄膜或基板的黏滞力降低时，前述加热步骤使前述黏滞力恢复。