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发明名称
SHALLOW OHMIC CONTACTS TO N-GaAs AND METHOD OF MAKING SAME
摘要
<p>The formation of low-resistance ohmic contacts to N-GaAs is provided by sequential deposition of Pd/Au-Ge/Ag/Au and rapid thermal annealing.</p>
申请公布号
WO1992016967(A1)
申请公布日期
1992.10.01
申请号
US1992001917
申请日期
1992.03.11
申请人
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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