| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及一对受到张应变的NMOS与受到压应变的PMOS晶体管的制造方法，其中以应力源材料作为牺牲层。上述方法包含：提供基底，上述基底具有NMOS晶体管的第一源/漏极区、与PMOS晶体管的第二源/漏极区；形成第一阻挡层于上述基底上；形成第一应力源材料于上述第一阻挡层上；选择性地从上述PMOS晶体管移除上述第一应力源材料；选择性地从上述PMOS晶体管移除上述第一阻挡层；以掺杂物活性化退火的步骤对上述基底施以退火；移除残余的上述第一应力源材料；以及移除残余的上述第一阻挡层。本发明可以改善载流子迁移率以及增加晶体管的驱动电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101388362A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810087120.4 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 葛崇祜;官大明;柯志欣;李文钦 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨;吴世华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置的制造方法，包含：提供基底，该基底具有N型金属氧化物半导体晶体管的第一源/漏极区、与P型金属氧化物半导体晶体管的第二源/漏极区；形成第一阻挡层于该基底上；形成第一应力源材料于该第一阻挡层上；选择性地从该P型金属氧化物半导体晶体管移除该第一应力源材料；选择性地从该P型金属氧化物半导体晶体管移除该第一阻挡层；以掺杂物活性化退火的步骤对该基底施以退火；移除残余的该第一应力源材料；以及移除残余的该第一阻挡层，以实施第一应力工艺。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||