| 发明名称 | 高频冷阴极三极型场发射真空管及其制造过程 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高频冷阴极三极型场发射真空管，包括阴极结构(12)、与阴极结构(12)间隔开的阳极结构(13)以及控制栅极(15)，其中，阴极结构(12)和阳极结构(13)被分别形成，且通过插入隔离件(14)被结合在一起，其中，控制栅极(15)集成在阳极结构(12)中。 | ||
| 申请公布号 | CN101636810A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200680056928.5 | 申请日期 | 2006.12.29 |
| 申请人 | 塞莱斯系统集成公司 | 发明人 | 弗朗西斯卡·布伦尼蒂;阿尔多·迪卡罗;马西密利亚诺·卢奇;西尔维亚·奥兰杜奇;里卡多·里奇泰利;马利亚·莱蒂西亚·特伦诺瓦 |
| 分类号 | H01J29/46(2006.01)I | 主分类号 | H01J29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 杨娟奕 |
| 主权项 | 1.一种冷阴极三极型场发射真空管(11、11’)，包括阴极结构(12)、与所述阴极结构(12)间隔的阳极结构(13)以及控制栅极(15)，其中，所述阴极结构(12)和所述阳极结构(13)被分别地形成，并通过插入隔离件(14)被结合在一起，其特征在于，所述控制栅极(15)集成在所述阳极结构(12)中。 | ||
| 地址 | 意大利罗马 | ||