| 摘要 |
マーク形成方法は、ウエハに露光したマーク像に基づいて凹部を含むレジストマークを形成するステップと、そのレジストマークが形成された領域の凹部にブロック共重合体を含むポリマ層を塗布するステップと、ポリマ層にアニールによって自己組織化領域を形成させるステップと、エッチングによって自己組織化領域の一部を選択的に除去するステップと、その一部が除去された自己組織化領域を用いてウエハにウエハマークを形成するステップと、を含む。ブロック共重合体の自己組織化を用いて回路パターンを形成する際に並列にマークを形成できる。 |
