发明名称 |
一种金属薄膜的制作方法及装置 |
摘要 |
本发明公开了一种金属薄膜的制作方法及装置,该方法包括:在真空的射频腔体内通入预设体积的惰性气体;将第一次溅射沉积操作后形成的第一物质传入射频腔体,其中第一物质表面包含第一金属薄膜和第一氧化薄膜,第一金属薄膜的厚度小于标准厚度,第一氧化薄膜形成在第一金属薄膜的表面;向射频腔体施加预设射频功率的电源以去除第一氧化薄膜获得第二物质;将第二物质通过真空的传输腔体传入真空的溅射沉积腔体,对第二物质进行第二次溅射沉积操作在第二物质表面形成第二金属薄膜,其中第一金属薄膜和第二金属薄膜的总厚度为标准厚度。本申请通过上述方法,解决了现有技术中补充沉积的金属薄膜与已有金属薄膜之间存在断层的技术问题。 |
申请公布号 |
CN104233202B |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201310224035.9 |
申请日期 |
2013.06.06 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
李冠欣;崔晓娟;梁欣;陈珊;张玉娟 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/40(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种金属薄膜的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在真空的射频腔体内通入预设体积的惰性气体;将进行第一次溅射沉积操作后形成的第一物质传入所述射频腔体,其中,所述第一物质表面包含第一金属薄膜和第一氧化薄膜,所述第一金属薄膜为通过所述第一次溅射沉积操作后形成的厚度小于一标准厚度的金属薄膜,所述第一氧化薄膜形成在所述第一金属薄膜的表面;向所述射频腔体施加一预设射频功率的电源,以使所述惰性气体电离轰击所述第一氧化薄膜,进而去除所述第一氧化薄膜获得第二物质;将所述第二物质通过与所述射频腔体相连的真空的传输腔体传入真空的溅射沉积腔体,对所述第二物质进行第二次溅射沉积操作,在所述第二物质表面形成第二金属薄膜,其中所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜的总厚度为所述标准厚度。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 |