| 发明名称 | 一种高灵敏晶体闸流管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种高灵敏晶体闸流管，包括芯片、台面槽（1）、基区（2）以及无机复合抗氧化层（5），所述基区（2）形成在无机复合芯片上，在基区（2）上形成有阳极（7）、阴极（4）和门极（6），所述无机复合抗氧化层（5）上形成有引线孔，所述引线孔分别对准所述的阴极（4）和门极（6）并填充有铝电极，台面槽（1）的槽深低于基区（2）的结深，且所述台面槽（1）与基区（2）形成的夹角为60度。 | ||
| 申请公布号 | CN205595337U | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201620126394.X | 申请日期 | 2016.02.18 |
| 申请人 | 沈阳飞达电子有限公司 | 发明人 | 梁书靖;吴炳刚;张伟;齐凤波 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人 | 侯蔚寰 |
| 主权项 | 一种高灵敏晶体闸流管，其特征在于：包括芯片、台面槽（1）、基区（2）以及无机复合抗氧化层（5），所述基区（2）形成在无机复合芯片上，在基区（2）上形成有阳极、中间过渡区（3）、阴极（4）和门极（6），所述无机复合抗氧化层（5）上形成有引线孔，所述引线孔分别对准所述的阴极（4）和门极（6）并填充有铝电极，台面槽（1）的槽深低于基区（2）的结深，且所述台面槽（1）与基区（2）形成的夹角为60度；所述芯片为无机复合芯片，所述无机复合芯片由内而外为硅层、碳化硅层和石墨层，所述无机复合抗氧化层由内而外为碳化硅层和氮化硅层；还包括晶闸管，所述晶闸管组通过压装机构固定在框架上；晶闸管组包括至少12个晶闸管单元和至少12个散热器，所述晶闸管单元和散热器间隔排列，且通过并联方式连接。 | ||
| 地址 | 110032 辽宁省沈阳市皇姑区鸭绿江街49-1 | ||